Text

Morfologi flim tipis heteroepitaxi GaSb/GaAs yang ditumbuhkan dengan MOCVD

---

Pada penelitian ini kami mencoba membuat· film berskalarnnanometer yang ditumbuhkan pada substrat GaAs dengan menggunakanrnMOCVD. Untuk menganalisa mofologi tersebut digunakan atomic forcernmicroscopy. Film tipis ditumbuhkan dengan menggunakan TMSb danrnTMGa sebagai precursor dengan kecepatan plow masing-masing 20rnseem dan temperatur substrat sebesar 540°C. Film ditumbuhkanrndengan lama deposisi 2 detik. Dari penelitian ini diperoleh film tipisrnyang terdiri dari pulau kecil (islands) yang berdimensi rata-rata 205· xrn109 x 5 nm, masing-masing panjang, lebar dan tinggi rata-rata darirnisland tersebut. Densitas dari islands sebesar 6.3 x 1013 m-2. GaShrnberskala nanometer sangat menarik untuk diteliti karena dapatrndiaplikasikan pada perangkat optoeletronika seperti semikonduktor laserrnyang mempunyai efisiensi yang tinggi.

---

Ketersediaan

Tidak ada salinan data

Informasi Detail

Judul Seri

Pendidikan science

No. Panggil

-

Penerbit

: ., 1999

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

ISBN/ISSN

ISSN 0853-3792

Klasifikasi

-

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

Vol. XXIII, No. 1, Tahun

Subjek

-

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

-

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar