Senyawa semikonduktor III-V nitrida GaN, A lN dan InN menarikrnperhatian para peneliti, karena sifat-sifat optik yang potensial untukrnmaterial-material opti.k yang aktif pada daerah orange sampai ultravioletrn(Davis, 1991). Material-material ini mempunyai struktur kfistal dalamrnbentuk wurtzite dan semuanya mempunyai energi gap langsung, yangrnharganya' dari 1,9 eV untuk AIN (Strike, dkk, 1993).
Pada penelitian ini kami mencoba membuat· film berskalarnnanometer yang ditumbuhkan pada substrat GaAs dengan menggunakanrnMOCVD. Untuk menganalisa mofologi tersebut digunakan atomic forcernmicroscopy. Film tipis ditumbuhkan dengan menggunakan TMSb danrnTMGa sebagai precursor dengan kecepatan plow masing-masing 20rnseem dan temperatur substrat sebesar 540°C. Film ditumbuhkanrndengan lama depo…
Penelitian di daJam dan di luar negeri menunjukkan bahwarnmiskonsepsi dalam bidang studi fisika memperlihatkan tingkat persentasernyang tinggi, antara lain seperti temuan penelitian Garnet danrnTreagust (1992) menemukan bahwa 7% dari responden (siswa SMA)rncenderung melakukan miskonsepsi tentang potensial listrik dan e-m-f.rnTemuan penelitian Linz ( 1995) menyimpulkan bahwa ban yak mahasiswarnf…