Text

Analysis of hole lifetime in SOI MOSFET single-photon detector

---

Masa hidup lubang pada detektorrnberfoton tunggal (single-photon detector) trasistor efek-medan semikonduktor-metal oksida (metal-oxidesemiconductorrnfield-effect transistor atau MOSFET) silicon-on-insulator (SOl) dievaluasi dengan menganalisisrnhistogram-histogram arus kering yang dihasilkan dari intensitas cahaya dan voltase substrat yang berbeda-beda.rnDitemukan bahwa puncak-puncak pada histogram berkorelasi dengan sejumlah besar lubang tersimpan yangrnberkembang seiring dengan semakin berkurangnya bias gerbang. Ini disebabkan bukan oleh efisiensi penyerapanrncahaya yang meningkat atau efisiensi pengumpulan lubang-lubang yang dipicu cahaya (photo-generated), tetapi olehrnmasa hidup lubang yang menjadi panjang, yang mungkin disebabkan oleh adanya medan listrik melintang di dalamrnbadan alat SOl MOSFET.

---

Ketersediaan

Tidak ada salinan data

Informasi Detail

Judul Seri

Makara seri teknologi

No. Panggil

600 Mak

Penerbit

: American foundations information service., 2013

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

English

ISBN/ISSN

1693-6698

Klasifikasi

600

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

Vol. 17, No. 1, Tahun

Subjek

-

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

-

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar