Text
Effects of deposition parameters and oxygen addition on properties of sputtered indium tin oxide films
Lapisan tipis indium timah oksida (ITO) dideposisikan pada substrat gelas coming dengan metodernsputtering menggunakan gas argon. Parameter deposisi dan penambahan oksigen dalam gas sputtering dioptimasi untukrnmendapatkan tingkat transparansi lapisan tertinggi dan resistivitas listrik terendah melalui pengamatan struktur, sifatrnlistrik dan sifat optik. Peningkatan laju deposisi dan ketebalan lapisan menghasilkan perubahan orientasi kristalografirndari (222) ke (400) dan (440),serta peningkatan kekasaran permukaan lapisan. Pemanasan substrat sangat diperlukanrnuntuk mendapatkan lapisan tipis dengan kristalinitas yang lebih baik. Nilai resistivitas lapisan cenderung naik denganrnpenambahan oksigen hingga 2% dalam gas sputtering, dengan nilai resistivitas terendah sebesar 5.36 X I o-4 O•cm dapatrndicapai pada ketebalan lapisan 750 nm. Semua lapisan tipis yang dideposisi pada penelitian ini menunjukkanrntransparansi lebih dari 85% sehingga memungkinkan untuk diaplikasikan pada divais fotovoltaik dan display."
Tidak ada salinan data
Tidak tersedia versi lain