Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex/Si HBT

Pencarian berdasarkan :

SEMUA Pengarang Subjek ISBN/ISSN Pencarian Spesifik

Pencarian terakhir:

Text

Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex/Si HBT

Indraprastha, Aswin - Konferensi;

Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang berbedarnyang mempunyai ketipisan di bawah 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1-xGex/. sebagai basis.rnSambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Pada penelitian ini dipelajari formulasi darirnpengaruh konsentrasi doping terhadap tahanan basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1 •• Ge./Si HeterojunctionrnBipolar Transistor dengan sambungan emitter-basis yang abrupt, selain memperhatikan mobilitas dan Iebar basis padarnresistansi basis juga pengaruh fraksi mole pada energi bandgap. Dari basil perhitungan menunjukkan bahwarnpenambahan konsentrasi doping dari N8=5.1018 cm·3 menjadi N8=5.1020 cm·3 pada basis dapat menurunkan nilairnresistansi basis sebesar 3.6 %, mena~kkan bandgap narrowing sebesar 0.126, dan meningkatkan kerapatan arus kolektorrnsebesar 1.36 kali pada Ge sebesar 24%.

Ketersediaan

Tidak ada salinan data

Informasi Detail

Judul Seri: Makara seri teknologi
No. Panggil: -
Penerbit: : American foundations information service., 2003
Deskripsi Fisik: -
Bahasa: English
ISBN/ISSN: 1693-6698
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: Vol. 7, No. 1, Tahun
Subjek: -
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: -

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar