Text

Penurunan noise figure performance (FN) pada heterojuncion bipolar transistor SI/SI 1-xGEx berdasarkan pengaturan stripe emitter area (AE) dan franction mole (X)

---

Paper ini membahas pengaruh perubahan stripe emitter area (Ae) dan fraction mole (x) terhadap untuk kerja heterojunction bipolar transistor (HBT) SiGe antara lain resistensi parasitis RB dan RC, fT, fmaks, current gain (ß) serta noise figure (FN,), model dikembangkan dari HBT SiGe IBM generasi kedua Ae 0,18 × 10 µm2. Saat Ae diturunkan menjadi Ae 0,12 × 10 µm2 dan Ae 0,09 × 10 µm2 dan fraction mole (x) dinaikkan menjadi dua kali (2) maka parameter RB, dan ß mempunyai relasi positif sedangkan Rc, fT, Fmaks negatif terhadap perubahan tersebut. Model HBT SiGe dengan x: 0,1 dan Ae: 0,18 × 10 µm2 mempunyai nilai Fn minimum terendah dibandingkan dengan Ae 0,12 × 10 µm2 dan 0,09 × 10 µm2 yaitu 0,57 dB, 0,64 dB, 0,69 dB. Jika nilai fraction mole (x) diturunkan 50% menyebabkan kenaikkan Fn yang tidak linear yaitu 77 %, 79% dan 89% dari nilai semula. Relasi noise figure (Fn) dengan stripe emitter area (Ae) memiliki hubungan negatif, sedangkan dengan fraction mole (x) memiliki hubungan positif jadi noise figure (Fn) dapat dibuat rendah dengan memperkecil stripe emitter area (Ae) dan menaikkan fraction mole (x).

---

Ketersediaan

Tidak ada salinan data

Informasi Detail

Judul Seri

Makara seri sains

No. Panggil

-

Penerbit

: American foundations information service., 2010

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

ISBN/ISSN

1693-6671

Klasifikasi

-

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

Vol. 14, No. 02, Tahun

Subjek

-

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

-

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar