Text
Perancangan dan pembuatan divais sensor gas CO berbasis indium timah oksida (ITO) dengan teknologi lapisan tipis
Tulisan ini menjelaskan tahapan proses pembuatan mikrodivais yang akan digunakan sebagai platformrnsensor gas karbon monoksida (CO) berbasis berbasis indium timah oksida (ITO). Divais yang dibuat telahrndirancang diatas substrat silikon dengan daerah aktifberukuran 3x3 mm2rndan terdiri dari bonding pad, komponenrnheater, elektroda, dan sensor temperatur. Lebar jalur minimum adalah 50 mikron, sesuai dengan kemampuanrnproses fotolitografi yang digunakan. Pembentukan struktur mikrodivais dilakukan utamanya menggunakan teknikrnlift-off lapisan platina (Pt) yang dilapiskan menggunakan metode DC sputtering dengan lapisan alumunium (Al)rnsebagai sacrificial layer, Dimensi chip mikrodivais yang dihasilkan berukuran 5 x 5 mm2rnPengujian yangrndilakukan untuk mengetahui karakteristik resistance terhadap temperatur dari mikrodivais menunjukkan bahwarnelemen heater dan sensor temperatur telah berfungsi seperti yang diharapkan, yaitu nilai resistansinya berubahrnsecara linear dengan kenaikan temperatur substrat antara 20 - 200 °C. Rentang kenaikan nilai resistansi untukrnheater adalah an tara 500 - 1000 ohm, sedangkan untuk sensor temperatur an tara 100 - 300 ohm.
Tidak ada salinan data
Tidak tersedia versi lain