Text

Seebeck Coefficent oF SoI Layer Induced by Phonon Transport

---

Koefisien Seebeck Lapisan SOI yang Diinduksi oleh Transpor Phonon. Koefisien Seebeck pada kawat Si berpola pada lapisan SOI bersalut-P dengan konsentrasi pembawa sebesar 10 cm diukur pada suhu mendekati suhu kamar. Ditemukan bahwa koefisie Seebeck-nya lebih kecil daripada koefisien Seebeck pada lapisan SOI dan lebih dekat pada koefisien Seebeck yang telah diperhitungkan, termasuk kontribusi elekroniknya. Penurunan koefisien Seebeck pada kawat Si mungkin terjadi akibat hilangnya kontribusi bagian tarikan fono. Dari perhitungan teoretis terhadap rasiorasio pengacakan yang dilakukan dengan memperhitungkan proses-proses pengacakan di dalam sistem fonon, dapat disimpulkan bahwa kenaikan pengacakan batas-fonon dan penurunan yang terjadi pada bagian simpang dari lapisan SOI secara simultan mungkin menjadi penyebab menghilangnya efek tarikanfonon

---

Ketersediaan

Tidak ada salinan data

Informasi Detail

Judul Seri

Makara journal of technology

No. Panggil

600 Mak

Penerbit

: American foundations information service., 2015

Deskripsi Fisik

-

Bahasa

Indonesia

ISBN/ISSN

2355-2786

Klasifikasi

600

Tipe Isi

-

Tipe Media

-

Tipe Pembawa

-

Edisi

Vol. 19, No. 1, Tahun

Subjek

-

Info Detail Spesifik

-

Pernyataan Tanggungjawab

-

Versi lain/terkait

Lampiran Berkas

Komentar

---

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar